Intel Israel Fab Tour - первое официальное международное пресс-мероприятие Intel в Израиле

14-15 декабря минувшего 2005 года впервые за более чем 30-летнюю историю Intel в Израиле состоялось уникальное событие — первое официальное международное пресс-мероприятие для журналистов и аналитиков стран EMEA, посвященное производственным и исследовательским центрам Intel в этой стране. Формально совпавшее с началом строительства новой фабрики Fab28, мероприятие не было приурочено конкретно к этому событию, а носило скорее просто ознакомительный характер.
Общая информация
История Intel в Израиле берет свое начало с основания исследовательского центра в Хайфе в 1974 году, штат которого насчитывал всего 5 сотрудников. В настоящее время израильское подразделение Intel является крупнейшим работодателем в стране и состоит из пяти исследовательских и производственных центров в Хайфе, Иерусалиме, Кирьят-Гате, Петах-Тикве и Якуме. Штат компании составляет свыше 6000 сотрудников.
Приоритетным направлением деятельности компании в Израиле являются исследования и разработки (R&D) — израильское подразделение Intel служит международным центром разработок для подразделений Intel во всем мире вот уже более 30 лет. Среди достижений исследовательского центра в Хайфе и его подразделений в Якуме и Иерусалиме — первый используемый в ПК процессор с 8-разрядной шиной 8088, технологии Intel MMX и Intel Centrino, тогда как центр разработок в Петах-Тикве занимает лидирующую позицию в группе мобильных коммуникаций корпорации Intel с момента разработки в 2003 году первого процессора для сотовых телефонов под кодовым названием Manitoba.
День 1. Исследовательские центры в Хайфе и Петах-Тикве
Первый день мероприятия был посвящен визитам в исследовательские центры, расположенные в Хайфе и Петах-Тикве. Как мы уже говорили, исследования и разработки являются основным направлением деятельности компании Intel в Израиле.
Исследовательский центр в Хайфе
Мероприятие в Хайфе открылось презентациями вице-президента и генерального директора Mobility Group Дади Перлмуттера (Dadi Perlmutter) и вице-президента Mobility Group Рона Фридмана (Ron Friedman), посвященными истории становления центра разработок в Хайфе и развития мобильной технологии Intel Centrino.
Исследовательский центр в Хайфе является первым центром дизайна и разработок Intel, основанным за пределами Соединенных Штатов и единственным из подобных центров, который сочетает в себе различные области исследований — разработку процессоров для мобильных устройств и ПК, коммуникационного оборудования и программного обеспечения.
Историю развития центра можно разделить на три этапа. Первый этап (80-е годы), как видно из представленного слайда, не имел четко спланированной стратегии и ориентировался преимущественно на дизайн и разработку новой продукции, во главу угла ставились задачи достижения технического лидерства. Нельзя сказать, что такой подход не имел свои успехи — результатом его практического воплощения в жизнь стала исключительно собственная разработка в середине 90-х годов процессора Intel Pentium MMX, позволившая центру значительно укрепить свою позицию внутри корпорации. Дальнейшее развитие этого пути привело, можно сказать, к переломному периоду в истории центра — неудачной разработке интегрированного решения под кодовым названием Timna.
Timna представляла собой интегрированный в одном кристалле процессор, северный мост чипсета и графический контролер, которое позиционировалось как массовое решение для недорогих ПК. Тем не менее, при разработке этого решения были выявлены определенные трудности, важнейшая из которых заключалась в значительном возрастании тепловыделения и стоимости конечного решения при относительно незначительном увеличении его тактовой частоты выше определенного порогового значения. Среди прочих причин неудачи, прямо не относящихся к дизайну платформы Timna следует отметить высокую стоимость, да и вообще «неуспешность» памяти типа RDRAM, на применение которой было изначально рассчитано это решение.
Тем не менее, неудача Timna имела важные последствия для развития дальнейшей стратегии исследовательского центра — на собственном опыте были усвоены важные факты о соотношении «производительность / потребляемая мощность», в связи с чем парадигма «наращивания производительности (частоты) любой ценой» претерпела кардинальные изменения. Так и наметился третий, «бизнес-ориентированный» этап развития, приведший к созданию хорошо известной на сегодняшний день платформы Centrino.
Стратегия разработки первого 130-нм ядра процессора Pentium M, ключевого компонента Centrino под кодовым названием Banias заключалась, во-первых, в переходе от понятия «производительность» к понятию «мощность на единицу производительности» (интересно заметить, что сейчас, спустя несколько лет, Intel незаметно «вернулась» к важности этого параметра, представляемого с точностью до наоборот — «производительность на ватт»). Вторым фактором разработки Banias являлся акцент на снижение «активной» и «неактивной» потребляемой мощности — т.е. мощности, потребляемой как при сильной загрузке устройства, так и при его полном бездействии. Этот подход практически не претерпел изменений и при разработке второго поколения платформы Centrino, основанного на 90-нм процессорном ядре Dothan. При разговоре о дальнейшей эволюции мобильной платформы, в презентации были затронуты (настолько, насколько это возможно) процессоры под кодовым названием Yonah и Merom.
Важнейшая особенность нового, уже анонсированного на сегодняшний день двухъядерного процессора Yonah — это наличие технологии Intel Smart Cache. Суть ее заключается в возможности эффективного использования объединенного L2-кэша обоими ядрами процессора без необходимости задействования внешней системной шины, а также наличия более эффективной предвыборки данных из L1-/L2-кэшей процессора. Кроме того, централизация логики управления L2-кэшем внутри процессора позволяет достигать более «энергооптимизированного» использования кэша. Как известно, L2-кэш, зачастую занимающий большую часть кристалла процессора, вносит немалый вклад в общее потребление электроэнергии процессором. В связи с этим, задачи снижения потребляемой мощности включают в себя, во-первых, отключение неиспользуемых участков кэша при сохранении целостности и согласованности данных в кэше и оперативной памяти (эта технология присутствует в мобильных процессорах Pentium M еще со времен ядра Banias). Второй по списку, но не по значимости является технологическая задача достижения минимально возможного питающего напряжения кэша данных процессора (Vcc_Min), не приводящего к потере устойчивости хранящихся в нем данных. В процессоре Yonah решение этих проблем представлено сразу тремя технологиями: технологии динамического изменения размера Intel Smart Cache, технологии Enhanced Intel Deeper Sleep, а также «низковольтного» (low-Vcc) дизайна кэша данных процессора.
В заключительной части презентации эволюции платформы Centrino были представлены некоторые факты об архитектуре IA-32 следующего поколения, которая найдет свое воплощение в виде процессоров под кодовым названием Merom (мобильный процессор), Conroe (десктопный процессор) и Woodcrest (серверный процессор). Об этих процессорах так или иначе уже неоднократно говорилось на различных мероприятиях Intel, начиная, пожалуй, с Форума Intel для разработчиков в Сан-Франциско в августе 2005 года. На сей раз, дело ограничилось кратким перечислением основных отличительных особенностей этих процессоров, а именно:

    Более широким (4-way) декодером инструкций и более мощными исполнительными устройствами;
    Более высокой частотой системной шины;
    Улучшенной производительностью подсистемы памяти;
    Улучшенным слиянием инструкций;
    Поддержкой EM64T;
    Новыми мультимедиа-инструкциями (SSE4?).

Презентация исследовательского центра в Хайфе завершилась буквально следующими весьма интересными утверждениями:

    Инновация иногда рождается незапланированным образом;
    Стратегия разработок центра заключается в постоянном, последовательном улучшении, нежели в «большом взрыве»;
    Эпоха многоядерности приносит с собой новые сложности, решение которых требует «новых инноваций».

После презентации состоялась одночасовая экскурсия по помещениям исследовательского центра, в которой можно было познакомиться как с историей развития центра в фотографиях с момента его основания, так и с деятельностью центра сегодня. Не считая чисто интеллектуальные разработки, последняя включает в себя тестирование и отладку продукции на уровне индивидуальных кристаллов. В распоряжении центра имеется оборудование как для «разрушительных», так и «неразрушительных» методов анализа неисправностей. Наиболее впечатляют, однако, возможности отладки неисправностей посредством модификации готовых кристаллов методами, которые иначе как «навесным монтажом» не назовешь. Судите сами: в качестве примера было продемонстрировано, пусть и не в реальном времени, как сначала перерезаются две неправильно соединительные дорожки на кристалле процессора, после чего «заливанием» всего нескольких атомных слоев вольфрама создаются новые, правильные соединения. Применение такого подхода (последовательных циклов испытаний и отладки) позволяет находить и отладить сразу несколько технологических ошибок производства CMOS-устройств и, тем самым, существенно сэкономить затраты, чем если бы эти ошибки находились и устранялись по одной за счет производства новых «версий» кристаллов.
Исследовательский центр в Петах-Тикве
Центр исследований и разработок в Петах-Тикве (PTK) был представлен в презентации генерального директора центра Эреца Шварца (Erez Schwartz), посвященной устройствам мобильной связи. Центр был основан в 1999 году вместе с приобретением компании DSPC. Основные задачи центра — разработка аппаратных и программных платформ и оптимизация handheld-устройств мобильной связи, что называется, «от антенны до приложений». Подразделение центра Cellular & Handheld Group специализируется на разработке так называемых «multi-radio» устройств мобильной связи — устройств, поддерживающих несколько различных стандартов связи (каковыми на сегодняшний день являются даже обычные мобильные телефоны, поддерживающие, к примеру, технологии GSM/GPRS и Bluetooth). Штат центра насчитывает примерно 850 инженеров, имеющих более чем 15-летний опыт работы в области беспроводных технологий и технологий мобильной связи.
Какова стратегия подразделения Cellular & Handheld Group? Прежде всего, это реализация модели, ориентированной на платформы с совместимостью по программному обеспечению «сверху вниз». Речь идет о разработке сложных приложений, которые можно было бы легко переносить (портировать) из high-end сегмента в сегменты начального уровня, что оказывается возможным благодаря единой архитектуре платформы. Вторая инициатива заключается в продвижении модели, ориентированной на данные (datacentric). Под этим имеется в виду продвижение идей, заключающихся в убеждении пользователей в том, что им необходимо использовать свои телефоны не только как средство голосовой связи, но и для передачи данных. С этой целью ставятся задачи разработки привлекательных приложений, побуждающих конечных потребителей использовать data-сервисы. Наконец, не менее важной задачей ставится «быть платформой выбора», решение которой требует предоставления на рынок хороших решений и осуществления хорошей поддержки.
Второе направление деятельности центра разработок PTK — разработка, испытание и внедрение WiMAX-решений, чему была посвящена презентация Дэна Элдара (Dan Eldar), заместителя генерального директора Intel WiMAX Group.
Корпорация Intel активно упоминает о WiMAX на своих различных мероприятиях, начиная еще с 2004 года. Важным событием минувшего 2005 года в этом направлении стали первые испытания фиксированных точек WiMAX. Планы корпорации Intel на ближайшее будущее (2006-2007 год) включают в себя первые испытания и интеграцию мобильных WiMAX-решений в ноутбуки. Дальнейшее развитие (2008-2009 год) подразумевает внедрение технологии WiMAX в мобильные телефоны и разворачивание первых WiMAX сетей — мобильных сетей четвертого поколения. Наконец, завершает это видение разворачивание в 2008-2010 годах всемирной WiMAX-сети. Что ж, посмотрим, как будет происходить развитие WiMAX на самом деле.
День 2. Производственные центры в Кирьят-Гате и Иерусалиме
Производственные центры в Кирьят-Гате — Fab 18 и Fab 28
Второй день мероприятия, посвященный производственным центрам Intel в Кирьят-Гате и Иерусалиме, был открыт презентацией вице-президента Technology and Manufacturing Group и генерального директора по операциям в Израиле Алекса Корнхаузера (Alex Kornhauser), в которой докладчик представил основную информацию о подразделениях компании Intel в Израиле.
Заглавие презентации — «There’s a part of Intel in every part of the world» — выбрано неслучайно, поскольку оно отражает видение израильским подразделением Intel своей роли как одного из существенных вкладчиков в разработку или производство продукции Intel по всему миру.
Присутствие Intel в Израиле насчитывает пять центров исследований и разработок и три производственные фабрики (две из которых являются действующими и одна — на стадии строительства). Главный центр разработок расположен в Хайфе, здесь также находится отдел продаж и маркетинга. Как мы уже упоминали выше, история Intel в Израиле началась именно с основания этого центра в 1974 году, как первого центра разработок Intel за пределами Соединенных Штатов.
Следующий центр разработок (если перемещаться по карте с севера на юг), находящийя в Йокнеаме, был основан в апреле-мае 2005 года в связи с приобретением компании Oplus и является на сегодня одним из главных центров разработки решений для цифрового дома (ПО для обработки изображений и видео, технологии для цифровых дисплеев).
В Якуме располагается подразделение центра разработок Intel в Хайфе. Одна из причин создания этого центра заключалась в исчерпании трудовых ресурсов на севере страны, в связи с чем было принято решение об основании нового центра в центральной части страны вместо привлечения потенциальных работников из центральной части страны в северную часть — центр разработок, расположенный в Хайфе.
В 1999 году, корпорация Intel совершила важное приобретение стоимостью $1.6 млрд., и на сегодня тогдашняя компания DSPC превратилась в центр исследования мобильных и беспроводных коммуникаций (включая WiMAX), расположенный в Петах-Тикве.
В Иерусалиме подразделения Intel представлены фабрикой и центром разработок. Фабрика Fab 8 была основанная в 1985 году и являлась первой фабрикой Intel за пределами Соединенных Штатов. Производство на Fab 8 осуществляется с использованием 6" (150-мм) кремниевых пластин — Fab 8 является последней 6" фабрикой Intel на сегодняшний день, в связи с переводом всех остальных производственных мощностей на новый 12" (300-мм) стандарт. Ключевая продукция фабрики — микроконтроллеры, находящие применение в автомобильной промышленности (в частности, компания Bosch является одним из главных заказчиков продукции Fab 8). Кроме того, на сегодня Fab 8 включает в себя центр разработок технологий MEMS и полупроводниковой фотоники (подробнее о которых мы скажем ниже). Помимо Fab 8, в Иерусалиме имеется отдельный центр разработок, приобретенный в 1998 году в связи с покупкой местного R&D-подразделения компании DEC.
Последней по списку, но не по значимости является Fab 18 в Кирьят-Гате, производящая ранние модели процессоров Pentium III и Pentium 4, а также чипсеты по 0.18-мкм техпроцессу. На сегодня, фабрика перестраивается под нормы 90-нм техпроцесса и планирует стать одним из главных поставщиков 90-нм флэш-памяти. Кроме того, 1 декабря компания Intel анонсировала строительство здесь новой фабрики Fab 28 — второй по счету фабрики по производству компонентов по нормам 45-нм техпроцесса.
Говоря о финансах Intel в Израиле, общий экспорт, начиная с 1974 года, составляет свыше $12 млрд., рост экспорта за последний год составил более $1 млрд. в год. Общие капиталовложения Intel (не считая приобретений) составляют примерно $3 млрд., ожидаемые инвестиции в строительство Fab 28 внесут дополнительные $3.5 млрд. к концу 2009 года. Корпорация Intel является главным инвестором частного капитала в стране.
Несколько слов о новой фабрике Fab 28. Как мы уже говорили выше, Fab 28 будет осуществлять производство микроэлектронных компонентов по нормам 45-нм техпроцесса с использованием 300-мм (12") кремниевых пластин. Площадь чистой комнаты фабрики составит 20000 квадратных метров, что более чем вдвое превышает площадь чистой комнаты нынешней Fab 18. Запуск производственных линий фабрики ожидается во второй половине 2008 года, с привлечением примерно 2000 новых сотрудников (т.е. увеличением штата израильского подразделения Intel до 8-9 тыс. работников), ожидаемый ежегодный экспорт фабрики должен составить примерно $3 млрд. в год.
Вернемся, тем не менее, к ныне существующей Fab 18, презентацию которой провела вице-президент Technology and Manufacturing Group Максин Фассберг (Maxine Fassberg). На сегодня, Fab 18 является крупнейшей фабрикой Intel в Израиле, ее штат составляет 3700 человек. Общий объем капиталовложений в строительство Fab 18 составил примерно $1.8 млрд., запуск производства состоялся в первой половине 1999 года.
Изначально, продукция Fab 18 полностью производилась по нормам 0.18-мкм технологического процесса и представляла собой в основном логические устройства, включая кристаллы ранних моделей процессоров Intel Pentium III и Pentium 4. По мере перехода микропроцессорной индустрии Intel на нормы 0.13-мкм техпроцесса, Fab 18 переоборудовалась под производство чипсетов, по-прежнему производимых по 0.18-мкм технологии. В настоящее время значительную долю продукции фабрики составляют процессоры для PDA и современных мобильных телефонов. Кроме того, в 2005 году был начат процесс перевода фабрики под нормы 90-нм технологического процесса, основанного на использовании меди (предшествующий ему на два поколения 0.18-мкм техпроцесс, как известно, был основан на алюминии). Вместе с этим, происходит ее переориентирование на выпуск продукции флэш-памяти.
Более подробно с деятельностью фабрики Fab 18 можно было ознакомиться на последующей за презентациями экскурсии по фабрике, которая включила в себя показ чистой комнаты (поскольку вход в указанное помещение без специальной одежды недопустим, пришлось довольствоваться его рассмотрением через окна) и отдела операций, где осуществляется исчерпывающее тестирование готовой продукции в виде референсных платформ (включая последнюю разработку Yonah) в различных (нормальных и аномальных) условиях.
Производственный центр в Иерусалиме — Fab 8
Презентацию Fab 8 в Иерусалиме провел генеральный директор фабрики Йонатан Уонд (Yonathan Wand).
Как мы уже говорили, Fab 8 стала первым производственным подразделением Intel, основанным за пределами США в 1985 году. Fab 8 представляет собой сравнительно небольшую фабрику — как по площадям (так, площадь чистой комнаты Fab 8 составляет всего 4500 квадратных метров, что в два раза меньше по сравнению с Fab 18), так и по численности сотрудников (порядка 500 человек). Fab 8 является консолидирующей фабрикой — она объединяет в себе все устаревшие (legacy) технологические процессы Intel. Количество технологических процессов насчитывает 6 штук (см. таблицу), что является крайне сложным с технологической точки зрения (типичное производство Intel связано не более чем с одним-двумя, крайне редко — тремя процессами). Соответственно, не менее широк и ассортимент выпускаемой продукции — он насчитывает свыше 100 продуктов, производимых, что характерно, в небольших количествах.
Техпроцесс Размер элемента,
мкм Количество металлических слоев Количество poly-Si слоев Рабочее напряжение
P601.2 0.4, флэш
1.0, периферия 3 2 5V, 12V vpp
P652 0.6 4 2 3.3V
P653 0.6 4 1 3.3V
P650 0.8 2 1 5V
P648 1.0 2 1 5V
P629 1.0 2 2 5V, 12V vpp

Спектр продукции Fab 8 включает в себя множество legacy-продуктов. Главным потребителем такой продукции является автомобильная промышленность. Fab 8 является единственной фабрикой Intel, производящей автомобильную продукцию — антипробуксовочные системы (Anti-lock Brake Systems, ABS) и контроллеры двигателей. Заказчиками продукции выступают ведущие мировые производители 1-го эшелона — компании Bosch, Ford, Siemens и Motorola. Как вариант, производятся комбинированные решения, сочетающие в себе микроконтроллеры и флэш-память. Потребителем таких решений, называемых «электронной программой стабильности» (Electronic Stability Program, ESP) является компания Bosch.
Вторым видом продукции являются микроконтроллеры серий 51 (8-битный) и 96 (16-битный), применяемые в коммерческих и промышленных решениях — кассовых терминалах, промышленных контроллерах, медицинском оборудовании, телекоммуникационных устройствах. Заказчиками этого вида продукции выступают как OEM-компании (Nortel, Lucent, Ericsson), так и дистрибьюторы (Arrow, Avent, Hamilton).
Следующая линейка продуктов представляет собой, как ни странно, x86-процессоры трех поколений — 186, 386 и 486. Эти процессоры, в прошлом выпускаемые фабрикой в больших объемах (так, например, Fab 8 производила до 50% от общего объема 386-х процессоров) и являющиеся «сердцем» персональных компьютеров, сейчас производятся в малых объемах и находят свое применение в кассовых терминалах, модемах, GPS-решениях благодаря своей надежности и экономической выгодности. Именно поэтому потребителями x86-продукции фабрики являются ведущие компании IBM, NEC и Garmlin.
Наконец, не следует забывать и о присутствии Intel на рынке RISC-процессоров. Процессоры семейства i960, представленные в нескольких вариантах с разным уровнем производительности, находят свое применение в сетевых решениях, телекоммуникационном оборудовании и принтерах. Потребителями RISC-решений Intel являются компании Nokia, Cisco, Alcatel и HP.
В своей 20-летней истории эволюции Fab 8 прошла три основных этапа — от производства процессоров к производству чипсетов и автомобильных микроконтроллеров. Тем не менее, Fab 8 является не только производственным подразделением Intel. Примерно 5 лет назад наметился следующий этап эволюции — руководство Fab 8 инициировало поиск новых, необычных технологических решений, и на сегодня Fab 8 выступает главным и единственным центром исследований и разработок уникальных разрядных (disruptive) технологий, таких как MEMS и полупроводниковая фотоника.
Презентацию первой из этих технологий провел Исраэль Янкович (Israel Yankovich). Что же такое MEMS? Аббревиатура расшифровывается как «микро электронно-механические системы»: «микро» означает малые размеры элементов (порядка 0.5-1 микрона, но не меньше — это одна из причин разработки таких устройств именно на Fab 8); «электронно-механические» означает важность наличия как электрических, так и механических свойств; наконец, термин «системы» подразумевает интеграцию MEMS с другими микросхемами. MEMS иногда называется также как MST — «технология микросистем» (Micro Systems Technology).
Одним из способов изготовления MEMS является метод, название которого (surface micromachining) можно перевести как «создание поверхностных микромашин». Суть метода заключается в последовательном нанесении и пленок (слоев) на поверхность кремниевой пластины с последующей их обработкой. При этом используются два типа слоев, один из которых является структурным, задающим необходимые электрические, механические и термические свойства, а второй — вспомогательным. Этот слой наносится в первую очередь и служит подложкой при изготовлении структурного слоя, после чего удаляется с поверхности пластины.
Ключевая область применения MEMS — устройства беспроводной связи. В представленной блок-схеме беспроводной системы MEMS могут выполнять функции предварительного радиочастотного блока, который включает в себя частотные фильтры, усилители, настроечные элементы и т.п. Преимущества MEMS заключаются в использовании кремния для изготовления всех компонентов системы, т.е. лучшую их интеграцию, приводящую к уменьшению размера системы, лучшей производительности и низким потерям энергии.
На слайде представлены экспериментальные MEMS-компоненты, разработка и производство которых ведется в настоящее время: электронные ключи, индуктивности, резонаторы, переменные конденсаторы (varactor).
Основная проблема производства MEMS-устройств заключается в их упаковке. Очевидно, что для упаковки MEMS не подходят обычные методы, используемые при производстве микросхем. Прежде всего, необходима защита хрупких структур MEMS от разрушительных процессов, таких как разделение пластины на кристаллы и их очистка. Во-вторых, упаковка MEMS должна производиться немедленно после вытравливания слоя подложки — в противном случае возможно попадание частиц в освобожденные полости и залипание механических устройств. В-третьих, само наличие полых участков в MEMS-устройствах подразумевает требование полной герметичности упаковки. В связи с этим, наименее затратным подходом при производстве MEMS Intel видит корпусировку устройств на уровне не индивидуальных чипов, а кремниевой пластины в целом.
Второе направление исследований, проводимых в R&D-отделе Fab 8 — полупроводниковая, или кремниевая фотоника (silicon photonics), было представлено в докладе Нахум Ицхаки (Nahum Izhaky). Фотоникой называется технология эмиссии, передачи, контролирования и детектирования световых частиц (фотонов) по принципам, аналогичным применяемым в оптоволоконных и оптоэлектронных устройствах. Преимущества использования оптических технологий для передачи данных заключаются в миниатюрности и простоте конструкции устройств (использовании небольшого количества сигнальных линий), абсолютной нечувствительности к электромагнитным помехам, низких потерях при передаче сигнала даже на большие расстояния и очень высокой теоретической пропускной способности (до 100 Тб/с). Тем не менее, они не лишены и недостатков, к которым относится, прежде всего, высокая стоимость ввиду использования экзотических и дорогих материалов (арсенид галлия, фосфид индия и т.п.), дорогих технологий производства и корпусировки. В связи с этим, своей задачей в области полупроводниковой фотоники Intel видит разработку «CMOS-совместимой фотоники» — фотонных устройств, основанных на использовании в качестве материала обычного кремния и стандартных, хорошо отлаженных технологий полупроводникового производства в больших объемах на существующих фабриках. И хотя «силиконизация» фотоники сопряжена с рядом трудностей, связанных с отсутствием у кремния ряда необходимых свойств, вроде электрооптического эффекта и эффективной эмиссии фотонов, исследования и разработки Intel в этой области достигли значительного прогресса, начиная с создания в 2004 году первого непрерывного кремниевого лазера, основанного на эффекте Рамана.
На сегодняшний день, разработка фотонных устройств находится на стадии разработки и усовершенствования «строительных блоков» — источника излучения, волноводов, модулятора, детектора излучения, а также их упаковки и управления готовым устройством. На ближайшее будущее (2006-2007 год) запланировано начало интеграции «строительных блоков» с дальнейшей перспективой создания полностью монолитных устройств. Решение этой задачи потребует разработку эффективных методов тестирования фотонных устройств на уровне кремниевой пластины, экономически выгодных методов упаковки и интеграции фотонных устройств с обычными CMOS-решениями, что позволит перейти от опытного к крупномасштабному производству таких устройств.

Дмитрий Беседин (dmitri_b@ixbt.com)
Опубликовано — 27 января 2006 г.