О, началась вера.

Ну вот сколько позитивного можно найти, хитрый еврей всегда сам себя перезитрит

Откуда вы это берете?????? Вуду заразил????

Не путайте первые успехи раптора над чистыми четверками из девяностых, с  ф15 крайней модификации.конца 2010ых

RWR  сегодня уже обучены работать с широкополосными сигналами с низкой пиковой мощностью, пусть дальность пеленга сигнала уже не перекрывает встречную  Добн в 1,5 раза.
И оптика уже не тот, и дальность обнаружения современных брлс в узком секторе обзора в трое выше.

Это не говоря про современные интегрированные комплексы рэб и вероятность поражения в ДВБ

Отредактировано dell (2018-07-26 21:36:58)

Строительство т50 ограничено возможностями промышленности и итоговой стоимостью конечных сборочных единиц.  Снижение себестоимости больше развяжет руки

Отредактировано dell (2018-07-26 22:06:28)

Что за истерика? Все ВВС комплектуют парк своих машин из поколений 4 и 4+. Некоторые разбавляют пятым. У F-15 есть много качеств которые F-35 дать не в состоянии, а у пингвина ровно одно преимущество - малозаметность, и оно работает в ограниченном количестве сценариев.

Отредактировано Злобный Полкан (2018-07-27 09:09:38)

Курмачев Виктор Алексеевич

КОНСТРУКЦИИ и ТЕХНОЛОГИЯ СВЧ GaN ТРАНЗИСТОРОВ Х-ДИАПАЗОНА ДЛЯ СИСТЕМ РАДИОЛОКАЦИИ.

05.27.01-твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

7 О '"ОН ¿013

Москва - 2013

005062062

Работа выполнена в Федеральном государственном унитарном предприятии «Научно-производственное предприятие «Пульсар».

Научный руководитель: доктор технических наук,

старший научный сотрудник Колковский Юрий Владимирович Официальные оппоненты: Ко'сов Александр Сергеевич

доктор технических наук, заведующий лабораторией Института космических исследований РАН

Щука Александр Александрович, доктор технических наук, профессор, профессор кафедры полупроводниковых приборов МГТУ МИРЭА

Ведущая организация: ФГУП «НПП «Исток»,

г. Фрязино, Московской области

Защита состоится 28 июня 2013 г. в^^__часов на заседании диссертационного совета Д212.131.02в МГТУ МИРЭА по адресу: 119454, г. Москва, проспект Вернадского, 78.

. С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МГТУ МИРЭА по адресу: 119454, г. Москва, проспект Вернадского, 78. Автореферат диссертации размещен на сайте МГТУ МИРЭА wwwmirea.ru

Автореферат разослан

О $ 2013 г.

Ученый секретарь диссертационного совета к.ф.-м.н.

А.Н. Юрасов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность

Анализ основных направлений работ по созданию нового поколения радиолокационных систем показывает, что в настоящее время в Х-диапазоне наиболее перспективным является применение в них СВЧ транзисторов на основе новых широкозонных полупроводниковых материалов, таких как нитрид галлия [Л1].

Эти приборы могут работать при более высоких температурах по сравнению с приборами, созданными на основе кремния или арсенида галлия. Более высокие пробивные напряжения в ваЫ СВЧ транзисторах позволяют реализовать более высокие рабочие напряжения, большие рабочие токи насыщения и больший уровень импульсной СВЧ мощности по сравнению с ваАв СВЧ транзисторами.

Отмеченные преимущества ваИ СВЧ транзисторов позволяют создавать твердотельные СВЧ блоки и модули, предназначенные для антенных фазированных решеток РЛС и других радиоэлектронных систем с учётом требований по минимизации массо-габаритных характеристик аппаратуры при обеспечении устойчивости к внешним дестабилизирующим факторам [Л1].

Решению актуальной задачи создания конструкций и технологии мощных СаИ СВЧ транзисторов на основе совокупности новых научно-обоснованных технических и технологических решений посвящена настоящая диссертация.

Целью данной работы является разработка конструкций и технологии СаЫ СВЧ транзисторов, обеспечивающих необходимый отвод тепла от активной области транзистора и защиту от электрического пробоя при воздействии мощных импульсных СВЧ сигналов.

Для достижения поставленной цели в работе:

1) проведен анализ конструкций, технологических процессов создания ваМ СВЧ транзисторов и технологического оборудования для разработки и производства СВЧ транзисторов;

2) проведены исследования и моделирование тепловых и электромагнитных процессов в ОаЫ СВЧ транзисторах при воздействии СВЧ мощности;

3) проведена оптимизация технологического процесса создания мощных СВЧ транзисторов Х-диапазона;

4) изложены результаты экспериментальных исследований и практического применения предложенных теплоотводящих конструкций и технологических процессов в баИ СВЧ транзисторах для радиолокационных систем Х-диапазона.

Научная новизна

1. На основе численного решения нестационарного уравнения теплопроводности для цилиндрической симметрии определены перегревы в обла-

сти канала многослойных AlGaN/GaN СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов в зависимости от мощности, длительности и скважности радиоимпульсов. Результаты расчетов показали, что для AlGaN/GaN СВЧ транзистора Х-диапазона применение теплопроводящих подложек на основе полиалмаза, выращенного на кремнии, обеспечивает лучший отвод тепла по сравнению с подложками на карбиде кремния при толщине слоя кремния менее 10 мкм при длительности импульса более 50 мкс.

2. Показано, что слой полиалмаза на поверхности AlGaN/GaN СВЧ транзистора Х-диапазона толщиной 1мкм уменьшает неравномерность температуры поверхности кристалла транзистора с 70°С до 40°С в импульсном режиме при выходной плотности мощности 8 Вт/мм, длительности импульса т=300мкс и скважности Q=50.

3. Предложен новый AlGaN/GaN СВЧ гетеротранзистор с высокой подвижностью электронов, включающий подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости с выполненным на ней буферным слоем из A1N, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура AlGaN/GaN СВЧ гете-ротранзистора, а между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза.

4. Установлено, что использование металлизации для контакта Шотт-ки AlGaN/GaN СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе системы Ir/Au с последующей обработкой в азоте при температуре порядка 500°С обеспечивает значения токов утечки барьера Шоттки в 4 раза меньшие, чем для традиционно используемой системы Ni/Au. Полученный результат объясняется меньшим значением коэффициента диффузии иридия в AlGaN по сравнению с коэффициентом диффузии никеля, а также тем, что высота барьера на границе Ir-AlGaN больше, чем высота барьера Ni-AlGaN.

Практическая полезность

1 .Разработаны и внедрены технологические процессы создания мощных AlGaN/GaN СВЧ гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, предназначенных для создания блоков радиолокационных станций, работающих в Х-диапазоне (8-12 ГГц).

2. Предложена новая конструкция мощного СВЧ наногетеротранзисто-ра с высокой подвижностью электронов, содержащего базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиаль-ную структуру на основе AlGaN/GaN, буферный слой (A1N или HfN), отличающаяся тем, что базовая подложка из кремния выполнена толщиной менее 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину, 0,1 мм, а на поверхности эпитаксиальной структуры последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерный слой из двуокиси гафния толщиной 1,0-4,0 нм.

3. На основе методов контроля неоднородности поверхностного сопротивления по площади напыляемых слоев омических контактов к истоку и

стоку СВЧ транзисторов на AlGaN/GaN гетероструктурах, обеспечивающих контроль неоднородности толщины осажденных металлизированных слоев по площади с точностью 1%, установлено, что при создании омических контактов на основе Ti, Al, Ni и Au неоднородность их поверхностного сопротивления не превышает 6% при нанесении пленок на подложки диаметром 4 дюйма.

4. Для создания твердотельных модулей, включающих AlGaN/GaN-НЕМТ и Si-МИС предложен мультисистемный производственный процесс на основе трехуровневой структуры, состоящей из раздельных производственных помещений (кластеров) для операций создания барьеров Шоттки и омических контактов для AlGaN/GaN/SiC-HEMT, диффузии, нанесения металлов и диэлектриков для Si-МИС, общих кластеров литографии, «мокрого» и «сухого» травления и отмывки пластин и общих производственных участков корпусирования, присоединения выводов и измерений параметров приборов

5. Основные результаты исследований, проведенных в данной работе, использованы при разработке технологии СВЧ транзисторов: ЗПШ 997А, ЗПШ 997Б, ЗПШ 997В, ЗПШ988А. Указанные транзисторы использовались при создании твердотельных СВЧ модулей БКВП. 468714.033, БКВП.468173.020 БКВП.468714.030.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Применение в AlGaN/GaN СВЧ транзисторе Х-диапазона теплопро-водящих подложек на основе полиалмаза, выращенного на кремнии, обеспечивает лучший отвод тепла по сравнению с подложками на карбиде кремния при толщине слоя кремния менее 10 мкм при длительности импульса более 50 мкс.

2. Слой полиалмаза на поверхности AlGaN/GaN СВЧ транзистора X-диапазона толщиной 1мкм уменьшает неравномерность температуры поверхности кристалла транзистора с 70°С до 40°С в импульсном режиме при выходной плотности мощности 8 Вт/мм, длительности импульса т=300мкс и скважности Q=50.

3. Использование металлизации для контакта Шоттки AlGaN/GaN СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе системы Ir/Au с последующей обработкой в азоте при температуре порядка 500°С обеспечивает значения токов утечки барьера Шоттки в 4 раза меньшие, чем для традиционно используемой системы Ni/Au.

4. Для создания систем на кристалле, включающих AlGaN/GaN-HEMT и Si-МИС необходим мультисистемный производственный процесс, на основе трехуровневой структуры, состоящей из раздельных производственных помещений (кластеров) для операций создания барьеров Шоттки и омических контактов для AlGaN/GaN/SiC-HEMT, диффузии, нанесения металлов и диэлектриков для Si-МИС, общих кластеров литографии, «мокрого» и «сухого» травления и отмывки пластин при соблюдении дополнительных условий очистки, исключающих влияние газов и загрязнений, в первую очередь,

на кристаллы AlGaN/GaN-HEMT и общих производственных участков кор-пусирования, присоединения выводов и измерений параметров приборов.

Апробация работы

Содержание и результаты работы доложены и обсуждены:

-на VII международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», Москва, КВЦ «Сокольники» 10-12 апреля 2012 г.;

-на XIX научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника», Республика Украина, Судак, сентябрь 2012 г.

- на XI научно-технической конференции «Твердотельная электроника, Сложные функциональные блоки РЭА - «Пульсар-2012», Дубна 17-19 октября 2012 г.

- на Всероссийской научной конференции - Научной Сессии НИЯУ МИФИ, Москва 1-6 февраля 2013 г.

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 16 печатных работ, в том числе 7 работ - в рецензируемых журналах, установленных ВАК по выбранной специальности. Получен патент на полезную модель и положительное решение по заявке второго патента на полезную модель.

Личный вклад автора в результаты работы

Основные теоретические результаты получены автором самостоятельно и опубликованы в ряде работ в том числе - в рецензируемых журналах, установленных ВАК по выбранной специальности. Во всех экспериментальных исследованиях автор принимал непосредственное участие в части постановки экспериментов; автор принимал непосредственное участие в разработке технологических процессов создания GaN СВЧ транзисторов, являясь руководителем работ по модернизации и техническому перевооружению производственного комплекса НПП «Пульсар».

Диссертации в Техносфере: http://tekhnosfera.com/konstruktsii-i-t … z5MQzuOLvX

По поводу цены. И эффектности/стоимости.
Тролиную мурню в стиле США может купить на свой ВВП больше рапторов, чем Гондурас  кукурузников придумали не далекие диванные эксперды. И малышня незатейливо вторит  этот бред.

Коненику всё едино. США может посзолить себе еще больше кукурузников, чем гондурас. Понятно, что кого-то припекает от цены Су-35, и итоговая эффектность/стоимость ограничивается лишь политической и блоковой составляющей.

И Венгрии, Чехии ЮАР или Бразилии, и Финляндии , которая решает между JAS-39 E  и F-35.  им пофиг на то что США может позволить купить себе больше любых самолетов. это надо быть дебилом полным, что бы повторять эту чухню.

Этому посвящена статья Is Saab’s New Gripen The Future Of Fighters?
В авиешн вик.

http://aviationweek.com/defense/saab-s- … e-fighters

Это пока еще в воздухе запада витает сладкий аромат ванили по поводу пиар потолочных цифр  LM  ЭПР Ф-22 и Ф-35 как 0 00000000   правильно подмеченных кем то однажды названных как MINIMAL FRONTAL, особо не услышанных детворой и журналистами. Продолжающих пересчитывать ЭПР теннисных мячиков.

Отредактировано dell (2018-07-27 10:27:31)